MF009500 - SEMI MF95 - Test Method for Thickness of Lightly Doped Silicon Epitaxial Layers on Heavily Doped Silicon Substrates Using an Infrared Dispersive Spectrophotometer StdPbc-0998 orgで，そして2009年11月にCD-ROMで入手可能となる。初版は1988年月発行，前版は2001年11月に発行された。

orgで，そして2009年11月にCD-ROMで入手可能となる。初版は1988年月発行，前版は2001年11月に発行された。

form a complete interoperability specification for the VPG

Reticle Pod to load port association

SEMI G86-0217 (Reapproved 1122)

this Test Method may be used in research and development of PV silicon materials manufacturing and crystalline and multicrystalline silicon growth processes

MF009500 - SEMI MF95 - Test Method for Thickness of Lightly Doped Silicon Epitaxial Layers on Heavily Doped Silicon Substrates Using an Infrared Dispersive Spectrophotometer StdPbc-0998 orgで，そして2009年11月にCD-ROMで入手可能となる。初版は1988年月発行，前版は2001年11月に発行された。This Test Method is a manual technique that requires the use of a dispersive infrared spectrophotometer. For this measurement, the resistivity of the substrate must be less than 0. 02 cm at 23C and the resistivity of the layer must be greater than 0. 1 cm at 23C. A brief description of the theory of this Test Method is given in Related Information 1. This technique is capable of measuring the thickness of both n and p type layers greater than 2 m